АО "Карачевский завод "Электродеталь", г. Карачев"

VITRULUX

ОАО "Интеграл"

Филиал "Транзистор" ОАО "ИНТЕГРАЛ"

Филиал НТЦ "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ"

ГРУППА КОМПАНИЙ "АЛЕКСАНДЕР ЭЛЕКТРИК"

АЛЕКСАНДЕР ЭЛЕКТРИК Дон

ОАО «Минский НИИ радиоматериалов»

ОАО «Прохладненский завод полупроводниковых приборов»

ООО "АЛЬФА"

Александер Электрик источники электропитания

Ангстрем

Дисплей

Витебский завод радиодеталей

НИИЭВМ, г. Минск

Научно-производственная компания "Контакт"

30.09.2010

Статус вновь освоенных и разрабатываемых ИМС категории качества «ВП» и «ОСМ» на сентябрь 2010 г.


1642РК1УБМ

Двухпортовое СОЗУ (прототип IDT7005, ф. IDT)

Технологический процесс –КМОП с двумя уровнями металла, одним уровнем поликремния.

Проектная норма - 0.8мкм.

Объем памяти 8Кх8. Время выборки адреса Та ≤ 90 нс.

Рабочая температура: от –60 до +125оС.

СВВФ-2У

Сдана в2005 г.

Н18.64 -3В

Микросхема освоена в бескорпусном исполнении. Проводятся работы по освоению в корпусном исполнении со сроком окончания –12.2010.

1642РГ1РБМ/ ТБМ/ УБМ

Микросхема FIFO ОЗУ (прототип IDT7205L, ф. IDT)

Технологический процесс –КМОП с двумя уровнями металла, одним уровнем поликремния.

Проектная норма - 0.8мкм

Объем памяти 8Кх9. Время выборки адреса Та ≤ 50 нс.

Рабочая температура: от –60 до +125оС.

СВВФ-2У

Сдана в2005 г.

2121.28 -6

4183.28 -2

Н16.48 -1В

Микросхема освоена в бескорпусном исполнении. Проводятся работы по освоению в корпусном исполнении со сроком окончания– 12.2010.

1644РС1ТБМ

"Калининец-8"

ЭСППЗУ (прототип 24FC65I, ф. Microchip)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма - 0.8мкм

Емкость 8К*8

СВВФ - с характеристиками 7И1 -1Ус, 7И6 - 0,2´1Ус, 7И7 - 5´1Ус, 7С1- 1Ус, 7С4 - 0,05´1Ус, 7К1 - 0,5´1К, 7К4 - 0,02´1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2.

АЕЯР.431210.448 ТУ

ОКР сдана

4153.20 -6

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП»

1635РУ1Т

"Донор-57"

СОЗУ (прототип CY7C199-20DMB, ф. Cypress Semiconductor)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма - 0.8мкм

32Кx8, Тв=50 нс,

Рабочая температура: от –60 до +125оС.

СВВФ-– с характеристиками 7И1 -3Ус, 7И6 -4Ус, 7И7 - 0.2´5Ус, 7И12 - 2 Р, 7С1 - 10´1Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 - 10´1К, 7К4 - 0.5´1К.

1635РУ1АТ – СВВФ 3У

АЕЯР.431220.344 ТУ

ОКР сдана

4183.28 -2

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

1635РУ2У

ОКР "Донор 65"

СОЗУ 128Кх8 (ПрототипCY7C1009 ф. Cypress Semiconductor, США)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма -0,35 (0.18) мкм

Микросхема 1635РУ2У КМОП статическое ОЗУ информационной ёмкостью 1Мбит. Напряжение питания микросхемы: Ucc=5,0B±10%.

СВВФ-с характеристиками 7И1-4Ус, 7И6-0,2x5Ус, 7И7-0,4x5Ус, 7И8-0,04x1Ус,

7С1-20´1Ус, 7С4 -2´5Ус, 7К1-2К, 7К4-1К

АЕЯР.431220.612 ТУ

ОКР сдана

Н18.64 -3В

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Серийные поставки микросхем категории качества «ВП» с 11.2010

1632РТ1Т

ОКР "Десерт-51"

ЭППЗУ 32Кх8(без аналога)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма– 1.0 мкм

Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования.

Информационная емкость, QINF, кбит – 256

Ток потребления в режиме хранения, ICCS, мкА - не более 40

Время выборки адреса, tA(A), нс - не более 175

Время выбора, tCS, нс - не более 155

Повышенная рабочая температура среды 85 °С

СВВФ – с характеристиками 7И1 по группе исполнений 3Ус, с характеристиками 7И6 по группе исполнений 4Ус, с характеристиками 7И7 по группе исполнений 0.2´5Ус, с характеристиками 7С1 по группе исполнений 10´1Ус, с характеристиками 7С4 по группе исполнений 1Ус, с характеристиками 7К1 по группе исполнений 5´1К, с характеристиками 7К4 по группе исполнений 0.5´1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2. АЕЯР.431210.267 ТУ

ОКР сдана

4119.28 -6

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки

1635РТ1У

ОКР "Десерт-52"

ЭППЗУ 32х8 бит

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма– 1.0 мкм

Постоянное запоминающее устройство емкостью 32 ´ 8 бит с возможностью однократного программирования, предназначена для однократной записи, долговременного хранения и многократного считывания информации

Информационная емкость, QINF, - 256 бит, Кол-во информационных слов, q 32

Количество разрядов в информационном слове, n – 8

Ток потребления в режиме хранения, ICCS, мкА- не более 25

Время выборки адреса, tA(A),нс-не более 900, Время выбора, tCS,нс- не более 900

повышенная рабочая температура среды 85 °С;

СВВФ – с характеристиками 7И1 -3Ус, 7И6 -4Ус, 7И7 - 0.2´5Ус, , 7С1 - 10´1Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 - 5´1К, 7К4 - 0.5´1К.

АЕЯР.431210.345 ТУ

ОКР сдана

H16.48 -1B

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки

1635РТ2У

ОКР "Десерт-53"

ЭППЗУ 512К (64Кх8)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма– 0,8 мкм

Постоянное запоминающее устройство однократно программируемое (64К´8) бит

Информационная емкость, QINF, кбит – 512

Количество информационных слов, q – 65536

Количество разрядов в информационном слове, n – 8

Ток потребления в режиме хранения, ICC, мкА, не более – 250

Время выборки разрешения выхода, tA(OE), нс, не более 60

Время выбора, tCS, нс, не более 100

Механические факторы - по ОСТ В 11 0998.

Климатические факторы – по ОСТ В 11 0998. СВВФ-2У,

АЕЯР.431210.578 ТУ

01.2011

Н18.64 -3В

Изготовление опытной партии.

Поставка опытных образцов

1835РЕ2Т

масочное ПЗУ емкостью 1 Мбит с организацией 128Кх 8

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма– 1.2 мкм

Масочное ПЗУ емкостью 1 Мбит с организацией 128Кх 8

Ток потребления в режиме хранения, ICCS, мкА, не более20

Время выборки адреса, tA(A), нс, не более 250,

Время выбора, tCS, нс, не более 250,

Климатические факторы - по ОСТ В 11 0998, СВВФ-2У,

АЕЯР.431210.215 ТУ

ОКР сдана

4119.28 -6

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ» с зашивкой ПЗУ по программам потребителя.

Микроконтроллеры

1880ВЕ81У

ОКР «Домен 51»

8-разрядный микроконтроллера (МК) с системой команд MCS-51 и встроенным контроллером мультиплексного канала (КМК) связи по ГОСТ Р 52070-2003, работающего в режиме оконечного устройства.

Технологический процесс –КМОП с одним уровнем поликремния и двумя уровнями металлизации.

Проектная норма –0,8 мкм

Микросхема должна содержать:

- MCS-51 - совместимое процессорное ядро;

- ПЗУ программ 4 Kх 8 бит;

- ОЗУ данных 256х 8 бит;

- три 16-разрядных таймера / счетчика;

- КМК по ГОСТ Р 52070-2003;

- пять 8- разрядных портов ввода / вывода;

- сторожевой таймер, функционирующий от собственного RC- генератора,

с возможностью программного изменения коэффициента деления периода счета

Напряжение питания 5 В ± 10%.

Температурный диапазон -60¸+125°С

СВВФ- с характеристиками 7И1 по группе исполнения 4Ус*; с характеристиками 7И6 по группе исполнения 5Ус*; с характеристиками 7И7 по группе исполнения 5Ус*; с характеристиками 7С1 по группе исполнения 50 ´ 5Ус*; с характеристиками 7С4 по группе исполнения 5 ´ 5Ус*; с характеристиками 7К1 по группе исполнения 5´1К*; с характеристиками 7К4 по группе исполнения 1К*. Уровень бессбойной работы (7И8) при воздействии специального фактора с характеристикой 7И6 должен быть не хуже 0,02´1Ус*.

АЕЯР.431280.335 -01ТУ

11.2011

Н18.64 -1В

Идет изготовление опытной партии

1881ВЕ2Т

ОКР "Домен-15"

16 разрядный микроконтроллер с RISC- архитектурой

Технологический процесс –КМОП с одним уровнем поликремния и двумя уровнями металлизации.

Проектная норма –0,8 мкм

Однокристальная микро-ЭВМ с RISC-архитектурой

Количество каналов обмена, nB,EXC.,.8 шт, Разрядность адреса, NA,.24 бит.

Разрядность данных, ND, 16 бит , Емкость ОЗУ, QRAM, 512 байт

Потребляемая мощность, РСС, мВт, не более 385

Частота следования импульсов тактовых сигналов, fC, МГц, не более 12,5

Климатические факторы - по ОСТ В 11 0998,

СВВФ-- 7И1 по группе исполнения 3Ус; 7И6 по группе исполнения 4Ус; 7И7 по группе исполнения 4х4Ус; 7С1 по группе исполнения 102х1Ус; 7С4 по группе исполнения 2х1Ус; 7С5 по группе исполнения 103х1Ус; 7К1 по группе исполнения 5х1К; 7К4 по группе исполнения 0,5х1К, Уровень бессбойной работы по 7И8 должен быть не хуже 0,02х1Ус

АЕЯР.431280.586 ТУ

11.2010

4226.108 -2

Изготовление опытной партии.

Поставка опытных образцов.

5518АП1ТБМ

ОКР "Калининец-1" ИС контроля питания (прототип ADM 705AR, ф. Analog Devices)

Технологический процесс –БиКМОП,

Проектная норма –1,2 мкм

Прецизионный супервизор питания + 4,65В, Uсс 1¸5,5 В,

Температурный диапазон -60¸+125°С.

СВВФ - с характеристиками 7И1 по группе исполнения 2Ус, с характеристиками 7И6 по группе исполнения 0,2´1Ус, с характеристиками 7И7 по группе исполнения 0,5´2Ус, с характеристиками 7С1 по группе исполнения 1Ус, с характеристиками 7С4 по группе исполнения 0,1´1Ус, с характеристиками 7К1 по группе исполнения 1К, с характеристиками 7К4 по группе исполнения 0,05´1К.

АЕЯР.431310.437 ТУ

ОКР сдана

4112.8 -1

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

Интерфейсные микросхемы

5102АП1Т

Симметричный приемник сигналов с линии передачи данных

5102АП2Т

Симметричный передатчик сигналов в линию передачи данных

Технологический процесс –ТТЛШ

Проектная норма –3,0 мкм

СВВФ - с характеристиками 7И1 по группе 1Ус, с характеристиками 7И6 по группе 4Ус, с характеристиками 7И7 по группе 4Ус, с характеристиками 7С1 по группе 1Ус, с характеристиками 7С4 по группе 4Ус, с характеристиками 7К1 по группе 1К, с характеристиками 7К4 по группе 1К

АЕЯР.431310.242 ТУ

ОКР сдана

402.16 -32

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02 Ведутся серийные поставки..

5559ИН1Т

ОКР "Дуплекс-232"

(прототип MAX 232, ф. Maxim)

Технологический процесс –КМОП, подложка р-типа

Проектная норма –3,0 мкм

Интерфейсный приемопередатчик последовательных данных стандартов EIA/TIA-232E и CCITT V.28 с одним напряжением питания

СВВФ - 7И, 7С, 7К с характеристиками 7И1 по группе 4Ус, с характеристиками 7И6 по группе 1Ус*, с характеристиками 7И7 по группе 4х4Ус, с характеристиками 7С1 по группе 10х1Ус, с характеристиками 7С4 по группе 1Ус, с характеристиками 7К1 по группе 10х1К, с характеристиками 7К4 по группе 1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2.

АЕЯР.431230.283 ТУ

ОКР сдана

402.16 -32

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

5559ИН2Т, 5559ИН2АТ

ОКР "Дуплекс-485"

(прототип MAX 485, ф. Maxim)

Технологический процесс –КМОП, подложка р-типа

Проектная норма –3,0 мкм

Интерфейсный приемопередатчик последовательных данных стандартов RS485, RS-422

СВВФ 5559ИН2Т: 7И1-1УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7С1 - 1УС, 7С4 - 0.1х1Ус, 7К1 -1К, 7К4 – 0.05х1К

СВВФ 5559ИН2АТ: 7И1-3УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 3УС, 7С1 - 1УС,7С4 - 0.2х1Ус, 7К1 -1К, 7К4 – 0.1х1К

АЕЯР.431230.284 ТУ

ОКР сдана

4112.8 -1

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

5559ИН3ТБМ

ОКР "Графин-М3"

Приёмопередатчик последовательной передачи данных стандарта RS-485, RS-422 (прототип MAX 483ESA, ф.Maxim)

Технологический процесс –БиКМОП,

Проектная норма –3,0 мкм

Дифференциальный вход приёмника и выход передатчика. Режим работы схемы - полудуплекс.

Скорость передачи данных – 250 кб/сек.

Внутренняя схема защиты. Напряжение питания 5 В±10%. Диапазон рабочих температур -60¸+125°С.

СВВФ - факторы с характеристиками 7И1 по группе исполнения 1Ус, с характеристиками 7И6 по группе исполнения 2Ус, с характеристиками 7И7 по группе исполнения 2Ус, с характеристиками 7С1 по группе исполнения 1Ус, с характеристиками 7С4 по группе исполнения 0.1x1Ус, с характеристиками 7К1 по группе исполнения 1К, с характеристиками 7К4 по группе исполнения 0.1x 1К.

АЕЯР.431230.466 ТУ

ОКР сдана

4112.8 -1.01

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

5559ИН5ТБП

ОКР "Графин-Н"

Приёмопередатчик последовательной передачи данных стандарта RS422 (прототип MAX 488ESA, ф.Maxim)

Технологический процесс –БиКМОП,

Проектная норма –3,0 мкм

Режим работы схемы - дуплекс.

Скорость передачи данных – 250 кб/сек.

Напряжение питания 5 В±10%.

Диапазон рабочих температур -60¸+125°С.

СВВФ- с характеристиками 7И1 по группе 1Ус; с характеристиками 7И6 по группе 1Ус при температуре 25 °С и 0,5´1Ус при температуре 125 °С; с характеристиками 7И7 по группе 1Ус
при UID ³ 0,25 В и 0,5´2Ус при UID ³ 0,5 В; с характеристиками 7С1 по группе 1Ус; с характеристиками 7С4 по группе 0,01´1Ус приUID ³ 0,25 В и 0,1´1Ус при UID ³ 0,5 В; с характеристиками 7К1 по группе 0,1´1К при UID ³ 0.25 В и 1К при UID ³ 0,5 В; с характеристиками 7К4 по группе 0,02´1К при UID ³ 0.25 В и 0.05´1К при UID ³ 0,5 В.

АЕЯР.431230.479 ТУ

ОКР сдана

4112.8 -1.01

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

5559ИН67Т

5559ИН68Т

ОКР "Каскад"

приемопередатчик манчестерского кода

(прототип HI-1567, HI-1568

ф.Holt IC)

Технологический процесс –БиКМОП, подложка n-типа

Проектная норма –1,5 мкм

Микросхема 5559ИН67ТБМ – приемопередатчик манчестерского кода с выходами в состоянии низкого уровня при запрете передачи; микросхема 5559ИН68ТБМ – приемопередатчик манчестерского кода с выходами в состоянии высокого уровня при запрете передачи.

СВВФ - с характеристиками 7И1 по группе исполнения 2х3Ус, с характеристиками 7И6 по группе исполнения 4Ус, с характеристиками 7И7 по группе исполнения 0,2´5Ус, с характеристиками 7С1 по группе исполнения 10x1Ус, с характеристиками 7С4 по группе исполнения 1Ус, с характеристиками 7К1 по группе исполнения 5´1К, с характеристиками 7К4 по группе исполнения 0,5´1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2.

АЕЯР.431230.627 ТУ

ОКР сдана

4153.20 -6

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02 Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП»

1554ИН1УБМ

ОКР "Дуплет 16245"

микросхема многоразрядного приемопередатчика (ан.VHC16245)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма –1.5 мкм.

Два 8-канальных приемопередатчика с тремя состояниями на выходе

Прямой аналог отсутствует

Ток нагрузки 12; 24 мА.

− Допустимое значение статического потенциала не менее 2000 В

− Диапазон рабочих температур среды от минус 60 до плюс 125 °С.

CВВФ– с характеристиками 7И1, 7И4, 7И6, 7И10, 7И11 по группе 4Ус, с характеристиками 7И7, 7И10 по группе 2´4Ус, с характеристиками 7С1, 7С3 по группе 3Ус, с характеристиками 7С4, 7С6 по группе 4Ус, с характеристиками 7К1, 7К3 по группе 5´1К, с характеристиками 7К4, 7К6 по группе 1К.

Максимальный уровень характеристики 7И8, при котором отсутствует потеря работоспособности, должен быть 0.02´1Ус.

АЕЯР.431200.182-16 ТУ

ОКР сдана

Н16.48 -1В

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02 Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП».

5559ИН17Т

ОКР "Дуплекс 31ПЗ"

миркросхема счетверенного линейного приемника с диференциальным входом (ф. ан.AM26C32 ф. Texas Instruments,США)

5559ИН18Т

ОКР "Дуплекс 31ПЗ"

миркросхема счетверенного линейного передатчика с диференциальным выходом (ф. ан. AM26C31 ф. Texas Instruments, США)

Технологический процесс–КМОП,

Проектная норма –0.8 мкм

4-разрядный дифф.магистральный приемник RS-422

Напряжение питания микросхем: 4.5 — 5.5 B.

- повышенная рабочая температура среды 125 °С;

- пониженная рабочая температура среды минус 60°С;

4-разрядный дифф.магистральный передатчик RS-422

Напряжение питания микросхем: 4.5 — 5.5 B.

- повышенная рабочая температура среды 125 °С;

- пониженная рабочая температура среды минус 60°С;

АЕЯР.431230.699 ТУ

СВВФ-7.И1 - 1Ус, 7.И6 - 1Ус, 7.И7 - 1Ус, 7.С1 - 1Ус, 7.С4 - 0,1х1Ус, 7.К1 - 0,1х1К, 7.К4 -0,05х1К.

ОКР сдана

402.16 -32

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02 Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП».

5560ИН1Т

ОКР "Магистраль 31"

сверхбыстро-действующая интерфейсная интегральная микросхема (передатчика) стандарта LVDS с пониженным до 3 В напряжением питания (ф. ан. SN55LVDS31W)

Технологический процесс –КМОП, подложка р-типа

Проектная норма –0.8 мкм

Микросхема сверх-быстродействующего счетверенного линейного передатчика с дифференциальным выходом содержит четыре передатчика последовательных данных стандарта LVDS

- повышенная рабочая температура среды 125 °С;

- пониженная рабочая температура среды минус 60 °С;

- Напряжение питания микросхем -3,0 – 3,6В

-Время распространения от входа данных до выхода нс

tplh - 0,5 – 4, tphl - 1 – 4,7

СВВФ - с характеристикой 7.И1 по группе исполнения 1Ус, с характеристикой 7.И6 по группе исполнения 1Ус, с характеристикой 7.И7 по группе исполнения 1Ус, с характеристикой 7.С1 по группе исполнения 1.Ус, с характеристикой 7.С4 по группе исполнения 0,01х1Ус, с характеристикой 7.К1 по группе исполнения 0,1х1К, с характеристикой 7.К4 по группе исполнения 0,05х1К. Уровень бессбойной работы (7.И8) при воздействии специального фактора с характеристикой 7И6 должен быть не хуже 0,02´1УС.

АЕЯР.431200.765 ТУ – базовые, АЕЯР.431200.765-01 ТУ

10.2010

402.16 -32.01

Идет изготовление опытной партии

5560ИН2Т

ОКР "Магистраль 32"

сверхбыстро-действующая интерфейсная интегральная микросхема (приемника) стандарта LVDS с пониженным до 3 В напряжением питания (ф. ан. SN55LVDS32W)

Микросхема сверх-быстродействующего счетверенного линейного приемника с дифференциальным входом стандарта LVDS.

- повышенная рабочая температура среды 125 °С;

- пониженная рабочая температура среды минус 60 °С;

Напряжение питания микросхем 3,0 – 3,6В

-Время распространения от входа данных до выхода нс

tplh - 1,3 – 6, tphl - 1,4 – 6,1, СВВФ как и 5560ИН1Т.

АЕЯР.431200.765 ТУ – базовые, АЕЯР.431200.765-02 ТУ

10.2010

402.16  -32.01

Идет изготовление опытной партии.

Аналоговые микросхемы

1467СА1Т

(прототип LM193, ф. Motorola)

Технологический процесс–планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией р-п переходом

Проектная норма –3.0 мкм

Компаратор напряжения двухканальный. СВВФ - 7И1-1УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 - 0.011´1Ус , 7С1 - 1УС,7С4 - 0.04´1Ус, 7К1 -0.4´1К, 7К4 – 0.02´1К

АЕЯР.431000.257-04 ТУ

ОКР сдана

4112.8 -1.01

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

1467СА2Р

(прототип LM139, ф. Motorola)

Технологический процесс–планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией р-п переходом

Проектная норма –3.0 мкм

Компаратор напряжения четырехканальный.

СВВФ - 7И1-1УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 - 0.006´1Ус, 7С1 - 1УС, 7С4 - 0.3´1Ус, 7К1 -1К, 7К4 – 0.1´1К

АЕЯР.431000.257 -04 ТУ

201.14-10

1467УД1Т

(прототип LM158, ф. Motorola)

Технологический процесс–планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией р-п переходом

Проектная норма –3.0 мкм

Операционный усилитель двухканальный. СВВФ -7И1-1УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 - 0.0016´1Ус, 7С1 - 1УС, 7С4 - 0.08´1Ус, 7К1 - 0.8´1К, 7К4 – 0.04´1К

АЕЯР.431000.257-01 ТУ

4112.8 -1.01

1467УД2Р/Т

(прототип LM124, ф. Motorola)

Технологический процесс–планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией р-п переходом

Проектная норма –3.0 мкм

Операционный усилитель четырехканальный. СВВФ - 7И1-1УС,7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 - 0.0002´1Ус, 7С1 - 1УС, 7С4 - 0.04´1Ус, 7К1 -0.4´1К, 7К4 – 0.02´1К

АЕЯР.431000.257-01 ТУ

201.14 -10 401.14 -5

1467СА3ТБМ

(прототип MAX908, ф. Maxim)

Технологический процесс – биполярный с комбинированной изоляцией элементов локальным окислом и p-n переходом

Проектная норма –3.0 мкм

Компаратор напряжения четырехканальный. СВВФ -7И1-1УС,7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 - 0.002´1Ус, 7С1 - 1УС, 7С4 - 0.05´1Ус, 7К1 -0,5х1К, 7К4 – 0.5´1К.

АЕЯР.431000.257-02 ТУ

ОКР сдана

401.14 -5

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

1473УД1Т

1473УД1Т1

"Дуга-22" (прототип ОР27А, ф.Analog Devices)

Технологический процесс–планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией р-п переходом

Проектная норма –3.0 мкм

Малошумящий прецизионный операционный усилитель. СВВФ - 7И1-1УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 - 10-4х1Ус, 7С1 - 1УС, 7С4 -0,1´1Ус, 7К1 -0.1´1К, 7К4 – 0,005´1К. АЕЯР.431130.306 ТУ

ОКР сдана

4116.8 -3

4112.8 -1.01

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

1467СА4ТБМ

"Раздвоение"

Одноканальный компаратор

(прототип MAX909ESA, ф.Maxim)

Технологический процесс – биполярный с комбинированной изоляцией элементов локальным окислом и p-n переходом

Проектная норма –3.0 мкм

ТТЛ-выход. Время отклика 50нс. Напряжение смещения 2мВ. Входной ток 300нА. Дифференциальное входное напряжение £5мВ. Напряжение питания 5В±10%. Температурный диапазон -60¸+125оС. СВВФ -7И1-1УС, 7И6- 1УС, 7И7 - 1УС, 7И8 -0.001´1Ус, 7С1 - 1УС, 7С4 - 0.1´1Ус, 7К1 -0,5х1К, 7К4 – 1К.

АЕЯР.431000.257-03 ТУ

ОКР сдана

4112.8 -1.01

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

Микросхемы стандартной логики

Серия 5584 – 22 типономинала

(прототип 74VHC, ф. Toshiba)

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма –1.5 мкм

Микросхемы стандартной логики

СВВФ – СВВФ- сер. 5584ХХТ: 7И1 - 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 0,2´5Ус, 7С1 - 10x1Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 - 5´1К, 7К4 - 0,5´1К

Сер. 5584ХХАТ: 7И1 - 4Ус, 7И6 - 6Ус, 7И7 - 0,2´5Ус, 7С1 - 10x1Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 - 5´1К, 7К4 - 0,5´1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2.

АЕЯР.431200.209ТУ

ОКР сдана

401.14 -5

402.16 -32

4153.20 -6

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП» и «ОСМ»

5584АП7Т

"Дельта 245"

микросхема приемо-передатчика со схемой удержания информации на

входе

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма –1.5 мкм

Восьмиканальный двунаправленный формирователь с тремя состояниями на выходе и схемой удержания информации на входе.

Напряжение питания от 2,0 до 6,0 В

Климатические факторы - по ОСТ В 11 0998,

СВВФ – СВВФ-7И1 - 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4´4Ус, 7С1 - 100x1Ус, 7С4 – 2х1Ус, 7С5 - 103´1Ус, 7К1 - 5´1К, 7К4 - 0,5´1К.

АЕЯР.431200.209-13 ТУ

ОКР сдана

4153.20 -1.01

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП»

ПЛИС и БМК

5585БЦ1У

«Дукат БМК»

БМК на базе серии 5584.

Технологический процессКМОП,

Проектная норма –2.0 мкм

Микросхемы базового кристалла (БК) специального назначения на базе серии 5584

Разрабатываемая микросхема должна позволять создавать заказные микросхемы по принципиальным электрическим схемам, представляемым Заказчиком.

Напряжение питания микросхемы 5.0 В±10%.

СВВФ –7И1 - 3Ус, 7И6 - 4Ус 7И7 - 4х4Ус, 7С1 - 100х1Ус, 7С4 - 2х1Ус, 7С5 - 10´1Ус, 7К1 - 5х1К, 7К4 - 0.5х1К

АЕЯР.431260.587 ТУ

ОКР сдана в 03.08

Н16.64-3В.

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02.


5577ХС1Т

"Матрица"

«Разработка базовой библиотеки схемотехнических решений, конструкции и комплекта программного обеспечения для проектирования семейства программируемых логических БИС типа FPGA с повышенной устойчивостью к воздействию деста-билизирующих факторов» (FPGAs семейств А10XX, А12XX, А14XX фирмы Actel, США. )

Технологический процесс – усовершен-ствованный спецстойкий КМОП с высоковольтным программи-рованием на антиперемычках, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металлизации.

Проектная норма –0.5 мкм

Разрабатываемая базовая библиотека схемотехнических решений, типовая конструкция и комплект программного обеспечения(далее – библиотека) предназначены для создания семейства однократно программируемых логических БИС типа FPGA с повышенной устойчивостью к воздействию дестабилизирующих факторов. Библиотека будет являться инструментом для проектирования новых изделий типа FPGA с применением современных средств САПР. Программирование новых изделий у потребителя будет производиться с помощью комплекта программного обеспечения, разработанного в ходе ОКР.

В качестве функциональных аналогов для построения библиотеки являются конструкции FPGAs семейств А10XX, А12XX, А14XXфирмы Actel, США.

В ходе ОКР будет спроектированна и изготовлена БИС FPGA объемом 1200 произвольно коммутируемых эквивалентных вентилей, функциональным аналогом которой является микросхема A1010В фирмы Actel, на которой будет произведена аттестация библиотеки.

- повышенная рабочая температура среды 125 °С;

- пониженная рабочая температура среды минус 60 °С;

Напряжение питания микросхем: 4.5 — 5.5 B.

АЕЯР.431260.759 ТУ

1.2011

4226.108-2

Идет изготовление опытных образцов

Преобразователи

5512ПП1Р (Т)БМ

"Кофидек-1Д"

(прототип МС145567, ф.Motorola)

Технологический процесс - КМОП с двумя уровнями поликремния и

одним уровнем металлизации

Проектная норма –3,0 мкм

ИКМ-кофидек (кодер-фильтр-декодер)

СВВФ с характеристиками 7И1, 7И7, 7С1 по группе исполнения 1Ус, с характеристиками 7И6 по группе исполнения 3´2Ус, с характеристиками 7С4 по группе исполнения 0.01´1Ус, с характеристиками 7К1 по группе исполнения 0.5´1К, с характеристиками 7К4 по группе исполнения 0.05´1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2.

АЕЯР.431320.354 ТУ

ОКР сдана

2140.20 -4 (4153.20  -6)

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП»

1512ПС11Т

"Дельта ПЧК"

Преобразователь частота-код

Технологический процесс –КМОП

Проектная норма –1.5 мкм

Микросхема ДЛПЧК представляет собой преобразователь частота-код с эталонной частотой 10МГц. Функции и особенности: измерение частоты; преобразование частоты в двоичный и двоично-десятичный код;

обмен данными с процессором в прямом и обратном коде.

СВВФ - 7И1 - 5Ус, 7И6 - 2´5Ус, 7И7 - 6Ус, 7С1 - 50´1Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 -5´1К, 7К4 - 0,5´1К..

АЕЯР.431280.335 ТУ

ОКР сдана

429.42 -5

ТУ утверждены. Микросхемы включены в МОП 44 001.02. Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП»

1315ПТ11Т, 1315ПТ21Т, 1315ПТ31Т, 1315ПТ41Т- одноканальный цифровой потенциометр

1315ПТ12Т, 1315ПТ22Т, 1315ПТ32Т, 1315ПТ42Т-двухканальный цифровой потенциометр

1315ПТ14Т, 1315ПТ24Т, 1315ПТ34Т, 1315ПТ44Т-четырехканальный цифровой потенциометр

ОКР "Денди" (ф. ан. AD8400, AD8402, AD8403)

Технологический процесс – КМОП,

Проектная норма –0.8 мкм

Разрабатываемые микросхемы предназначены для замены механических потенциометров и использования в программируемых фильтрах, линиях задержки, источниках питания в качестве потенциометра или переменного резистора (1кОм, 10 кОм, 50 кОм, 100 кОм)..

Напряжение питания микросхем: 2.7 — 5.5 B.

повышенная рабочая температура среды 125 °С

пониженная рабочая температура среды минус 60 °С;

СВВФ - 7.И1 - 1Ус, 7.И6 - 1Ус, 7.И7 - 1Ус, 7.С1 - 1Ус, 7.С4 -0,01´1Ус, 7.К1 - 0,1´1К, 7.К4 - 0,005´1К по ГОСТ РВ 20.39.414.2.

АЕЯР.431320.701 ТУ

ОКР сдана

401.14 -5

405.24 -2

ТУ утверждены. Микросхемы включены в перечень МОП 44 001.02 Ведутся серийные поставки микросхем категории качества «ВП»

Силовая электроника

1325ЕН1.8Т, 1325ЕН2.5Т, 1325ЕН2.85Т, 1325ЕН3Т, 1325ЕН3.3Т, 1325ЕН5Т

1325ЕР1Т

ОКР «Дот 17ПЗ»

серия микросхем стабилизаторов напряжения

(ф.ан. LD1117 ф. STM)»

Технологический процесс –биполярный с изоляцией p-nпереходом, подложка p-типа.

Проектная норма –2.0 мкм

Микросхемы являются стабилизаторами напряжения положительной полярности и предназначены для создания фиксированного постоянного напряжения 1,8 В; 2,5 В; 2,85 В; 3,0 В; 3,3 В; 5,0 В и регулируемого напряжения от 1,25 до 13,5 В сUref = 1,25 В.

с точностью выходного напряжения ± 4% (для ИС1 ± 6.7%).

Выходной ток не менее 800 мА,

остаточное напряжение не более 1,3 В.

Микросхемы имеют внутреннее ограничение максимального тока нагрузки с температурным сбросом выходного напряжения,

Стойкость к воздействию нейтронного и γ-излучения, ионизирующего излучения космического пространства.

АЕЯР.431420.762 ТУ – базовые ,
АЕЯР.431420.762-01 ТУ (1325ЕР1Т), АЕЯР.431420.762-02 ТУ (1325ЕН1.8Т, 1325ЕН2.5Т, 1325ЕН2.85Т, 1325ЕН3Т)

09.2011

КТ-93 -1

(SMD  0.5)

Идет изготовление опытных образцов

1326ПН1Т

ОКР «Дедукция 1501»

микросхема понижающегоDC/DC конвертора, стойкая к СВВФ (АР1501 ф. «Anachip», Тайвань.

Технологический процесс –биполярный с изоляцией p-nпереходом, двухуровневая металлизация.

Проектная норма –3.0 мкм

Микросхема импульсного понижающего стабилизатора напряжения.

Микросхема содержит:

- генератор со встроенной емкостью;

- схему ШИМ управления выходным напряжением;

- защиту от превышения температуры кристалла;

- защиту от превышения выходного тока;

- вход управления включением/ выключением;

- переключающий транзистор, встроенный в микросхему и гарантирующий выходной ток нагрузки не менее 1А.

Напряжение питания (входное напряжение) микросхемы в диапазоне от 10 до 35В.

Номинальное значение выходного напряжения импульсного стабилизатора – 5В. – Стойкость к воздействию нейтронного и γ-излучения, ионизирующего излучения космического пространства. АЕЯР.431320.769 ТУ

11.2011

4116.8 -3

Идет изготовление эксперимен-тальных образцов

Возврат к списку